| 电子邮件: pvd@sinoarc.com


pvd电弧深黑技术

电弧法一般无法实现深黑色的镀层,只能镀到深灰。采用电弧深黑技术可以实现深黑电弧镀层。

  • 适于低成本镀制深黑色膜层
  • 在五金卫浴门锁领域有着广阔的应用前景

pvd离子过滤

电弧法的离子颗粒较大,采用离子过滤技术可以大幅改善膜层质量。

  • 滤除大颗粒和原子团
  • 实现镜面膜

pvd比例给气自动流量控制器

比例给气自动流量控制器的PVD设备会让生产更加得心应手。

  • 预定加减气体函数。
  • 实现渐进给气

pvd数控节流阀

节流阀采用微电脑控制的步进电机,主要有如下优点:

  • 节流阀在0~90度任意可调
  • 控制角度精确,工艺稳定
  • 数据设置操作简单

 

磁控溅射镀膜机

中频磁控溅射镀膜技术是镀制化合物及氧化物膜的理想设备,彻底克服了打弧的现象,并且溅射速度快,适合镀制铟锡合金(ITO),氧化铝(AL2O3),二氧化硅(SIO2),氧化钛(TiO2),氮化硅(Si3N4)等,配置多个靶及膜厚仪可镀制多种多层复合膜。

技术指标

1 镀膜室尺寸:Φ1200 mm X 900 mm 、 Φ1200 mm X 1500 mm、Φ1500 mm X 1200 mm

2 极限真空度:优于<1.3×10-3 pa(冷态包括转架)

3 排空时间:( 冷态,包括工件架 )在扩散泵已正常工作情况下,从大气抽至6.6 x 10-3 Pa时间〈 20min

4 等离子体加速器电弧靶6只+中频平面靶4只+离子源1只

采用最新开发的距形平面溅射靶:确保颗粒细腻;幅射均匀;高真空弧光平稳.

技术特征 :

  • 内置加速电场

  • 恒定高斯的水平磁场

  • 直接水冷

  • 采用溅射靶专用电源

5 溅射电源采用我公司独有的脉冲溅射专用电源,具有特殊保护电路装置.技术特征:

  • 中频孪生靶磁控溅射电源:最有效地杜绝了磁控溅射“靶中毒”的现象,可以在采用纯金属靶材的前提下,制备包括氧化物在内的各种化合物薄膜,是取代射频磁控的先进镀膜方法。同时可以有效地提高磁控溅射制备的纯金属薄膜的沉积速率,在批量化生产中,提高生产效率

  • 该电源采用了先进的高频开关技术,使用最新IGBT器件,具有优异的输出特性和良好的适应性。参数调节范围宽且稳定,保护措施完善合理,具备体积小,重量轻,效率高的优点。是双极孪生对靶磁控溅射技术的关键设备,是镀ITO膜,介质膜,绝缘保护膜等产品必备的专用电源。

6 工件架转速(内6轴外8轴)额定值:公转转速4r/mim,自转转速15r/min。

  • 变频调速,无级渐变,缓起缓停,可换向

  • 负重250KG

7 供气系统:两路(可选配三路或四路)比例给气自动质量流量控制.流量500—1000SCCM每路

  • 自动跟随真空室压强,自动调节进气量

  • 每路气均有质量流量显示

  • 无需混气罐,调节无滞后

  • 预设比例,总量自动或手动均可

  • 预设强置换功能,生成起步气冲

8 加热器输出功率0-21KW

9 压强控制:节流阀;自动压强调节

10 设备总功率:140KVA ,380V,三相四线制

11 温度测量方式:热电偶

表面测温方式:红外测温仪(选购件)

12 设备总功率:110KVA max,380伏、三相四线制;

13 温度测量方式:热电偶,可选配红外测温仪

14 设备总重:4.5t

15 设备占地面积:6m X 8m

16 冷却水流量: 2t/hr (进水温度25摄氏度以下,压力2KG/CM 2)

 

 

pvdπ形转靶

 

  • 节省镀膜时间
  • 实现定向镀膜

pvd石墨弧靶

 

  • 解决石墨靶钻弧灭弧问题
  • 可以镀制电弧法DLC

pvd线形离子源

 

  • 气体离化
  • 工件刻蚀辅助清洗

pvd离子渗透

 

  • 联合ARC沉积基础
  • 模具性能寿命显著倍增

pvd大功率偏压电源

 

  • 自动生成阀值,无需经常调节
  • 函数波形输出,起弧可能减至最小
  • 数字逻辑控制,准确无误
  • 调制电压的主弧轰击,功力强劲

pvd引孤系统改造

 

  • 自动引弧
  • 快速续弧
  • 不粘弧
  • 相邻弧源互相帮助